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‘첨단 반도체 미국으로’…美, TSMC 16조원 지원

  • 송고 2024.04.08 20:54 | 수정 2024.04.08 20:55
  • EBN 김채린 기자 (zmf007@ebn.co.kr)

당초 보조금 대비 30% 이상 증가한 수준

TSMC 6.8조원 규모 저리 대출 제공 결정

이르면 내주 삼성전자 지원 규모 발표될 듯

[제공=연합]

[제공=연합]

미국 정부가 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC에 총 116억달러(15조7000억원)에 달하는 자금을 지원하기로 결정했다. 반도체법(Chips Act)에 따라 기술패권 확보를 위해 첨단반도체를 자국에 유치하겠다는 전략으로 풀이된다. 한국의 삼성전자에 대한 지원 규모도 이르면 내주 발표될 것이라는 전망도 제기된다.


8일(현지시간) 로이터와 AP통신 등에 따르면 미국 상무부는 TSMC에 반도체 공장 설립 보조금 66억달러(약 8조9000억원)를 지원한다고 밝혔다. 이는 당초 예상이었던 50억달러(6조7000억원) 대비 30% 이상 증가한 수치다.


상무부는 보조금과 함께 TSMC에 50억달러(6조8000억원) 규모 저리 대출도 제공할 예정이다.


미 정부의 이 같은 결정은 첨단 반도체 공급망을 자국으로 흡수하기 위한 경제·안보 전략의 일환이다. 최근 미국은 중국과의 기술 패권 경쟁 격화에 핵심 첨단 기술로 떠오른 반도체의 해외 의존도를 면밀하게 살피고 있다.


이날 바이든 대통령은 성명을 통해 “미국이 반도체를 발명했지만 시간이 지나면서 우리 반도체 생산량은 전 세계 40%에서 10%까지 줄었다”며 “게다가 최첨단 반도체는 생산하지 못해 경제와 국가 안보에 심각한 취약성을 드러냈다”고 지적했다.


이어 “이런 흐름을 되돌릴 것”이라며 “세계에서 가장 진보된 반도체를 생산해 미국이 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체의 20%를 생산할 수 있도록 할 것”이라고 덧붙였다.


이에 TSMC는 미국 내 첨단 반도체 설비를 대폭 확대하겠다고 화답했다.


TSMC는 미국 내 투자 규모를 250억달러(33조9000억원) 늘인 650억달러(88조1000억원)로 확대하고, 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(fab·반도체 생산공장)을 건설하겠다고 발표했다.


앞서 TSMC는 400억 달러를 투입, 애리조나주 피닉스에 팹 두 곳을 건설 중이다. 2021년 첫 번째 팹을 착공했고, 지난해에는 두 번째 팹 건설에 착수했다.


삼성전자 등 국내 기업의 보조금과 관련해 블룸버그 통신은 60억달러(8조2000억원) 이상의 보조금을 받을 것으로 전망했다. 로이터는 다음 주 중 삼성전자에 대한 보조금 지원이 발표될 것으로 점쳤다.



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